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QS6M3TR-VB一种SOT23-6封装2个N+P—Channel场效应管

### 产品简介

QS6M3TR-VB是VBsemi推出的一款SOT23-6封装的MOSFET产品，具有2个N+P沟道，适用于需要高性能MOSFET的应用场合。

### 详细参数说明

- 极限参数：

  - 栅源电压：±20V

  - 连续漏极电流：7A（正沟道），4.5A（负沟道）

  - 导通电阻：20mΩ（VGS=4.5V），70mΩ（VGS=20V）

  - 阈值电压：0.71V（正沟道），-0.81V（负沟道）

QS6M3TR-VB.pdf

### 适用领域和模块举例

1. 电源管理模块：QS6M3TR-VB的高漏极电流和低导通电阻使其非常适合用于电源管理模块中的开关电路。

2. 电机驱动模块：其高漏极电流和高栅源电压范围使其成为电机驱动器中的理想选择，能够处理较高的电流和电压。

3. LED驱动模块：QS6M3TR-VB的低导通电阻和高阈值电压使其在LED驱动电路中表现出色，可以提供稳定的电流驱动LED。

以上仅为举例，实际应用中，QS6M3TR-VB还可以用于许多其他模块和领域，具体取决于设计要求和性能需求。