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RFD15N06LESM-VB一种TO252封装N—Channel场效应管

### 产品简介

RFD15N06LESM-VB 是 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。它具有 60V 的漏极-源极电压，45A 的最大漏极电流，RDS(ON) 为 24mΩ @ VGS=10V 和 VGS=20V，阈值电压为 1.8V。

### 详细参数说明

- **品牌:** VBsemi

- **型号:** RFD15N06LESM-VB

- **封装:** TO252

- **通道类型:** N-Channel

- **最大漏极-源极电压:** 60V

- **最大漏极电流:** 45A

- **导通电阻:** 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- **阈值电压:** 1.8V

RFD15N06LESM-VB.pdf

### 适用领域和模块示例

1. **电源管理模块：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，RFD15N06LESM-VB 可用于电源开关和电流控制电路中，提供高效稳定的电源管理功能。

2. **电机驱动：** 在电机驱动电路中，RFD15N06LESM-VB 能够有效控制电机的启停和速度调节，提高系统的性能和效率。

3. **LED 照明控制：** 作为 LED 照明控制电路的关键元件，RFD15N06LESM-VB 能够实现 LED 的亮度调节和开关控制，提供稳定可靠的照明效果。

4. **电池管理系统：** 在电池管理系统中，RFD15N06LESM-VB 可用于电池充放电控制和保护，确保电池安全可靠地运行。

5. **电源开关：** 由于其高功率和稳定性，RFD15N06LESM-VB 可以用作各种电源开关，如电源逆变器、变频器等。