RUQ050N02-VB一种SOT23-6封装N—Channel场效应管
标签:
来源:国产品牌站
时间:2024-06-29 14:49
摘要:以下是RUQ050N02-VB的产品信息:
以下是RUQ050N02-VB的产品信息:
### 产品简介
RUQ050N02-VB是VBsemi品牌生产的N-Channel沟道功率MOSFET,采用SOT23-6封装。它是一种低压、低导通电阻的功率MOSFET,适用于各种低压电路设计。
### 详细参数说明
- **电压额定值 (V<sub>DS</sub>):** 30V
- **电流额定值 (I<sub>D</sub>):** 6A
- **导通电阻 (R<sub>DS(ON)</sub>):** 30mΩ @ V<sub>GS</sub> = 10V
- **阈值电压 (V<sub>th</sub>):** 1.2V
- **最大栅极—源极电压 (V<sub>GS</sub>(max)):** ±20V

RUQ050N02-VB.pdf
### 应用领域和模块举例
1. **便携式电子设备:** 由于其小型封装和低压特性,RUQ050N02-VB可用于便携式电子设备的电源管理电路,如智能手机、平板电脑等,提供高效的电源转换和管理。
2. **LED驱动:** 在LED照明系统中,需要低压、高电流的功率MOSFET来实现LED的开关控制,RUQ050N02-VB可用于LED驱动电路,提供稳定的电流输出。
3. **电池保护:** 在电池保护电路中,RUQ050N02-VB可用于设计过放、过充、短路保护等功能,保护电池免受损坏。
4. **DC-DC转换器:** 作为开关器件的一部分,RUQ050N02-VB可用于设计直流-直流转换器,提供高效的电源转换功能。
综上所述,RUQ050N02-VB适用于各种低压电路设计,包括便携式电子设备、LED驱动、电池保护和DC-DC转换器等领域。