SSD9971-VB一种TO252封装N—Channel场效应管
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-06-29 16:30
摘要：**VBsemi N-Channel MOSFET SSD9971-VB**
**VBsemi N-Channel MOSFET SSD9971-VB**
- **丝印：** VBE1638
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- N—Channel沟道
- 额定电压：60V
- 额定电流：45A
- 导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压（Vth）：1.8V
- **封装：** TO252
**产品简介：**
SSD9971-VB是VBsemi生产的一款N-Channel沟道的功率MOSFET。具有高电压和高电流承载能力，以及低导通电阻，适用于各种功率控制和开关应用。
**详细参数说明：**
1. **额定电压（VDS）：** 该MOSFET的额定电压为60V，适用于较高电压的负载驱动和功率开关。
2. **额定电流（ID）：** 具有45A的额定电流，适用于需要大电流承载能力的负载驱动器和功率开关应用。
3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V时，导通电阻为24mΩ，有助于降低功率损耗和提高效率。
4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压为1.8V，使得器件易于控制和驱动。
**适用领域和模块举例：**
1. **电源开关：** 可用于DC-DC转换器、AC-DC开关电源和电动工具等高功率开关模块中。
2. **电机驱动器：** 适用于电动汽车、电动工具和工业机械等负载驱动器中，如马达控制和风扇控制等。
3. **充电器：** 可用于快速充电器和电动汽车充电桩等充电设备中，以提供稳定的功率控制和高效率的充电。
