100N08N-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-07-23 14:12
摘要：100N08N-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），2.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导通电阻（RDS(ON)）为9mΩ，最大漏极电流（ID）为90A。该产品采用Trench技术。
100N08N-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），2.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导通电阻（RDS(ON)）为9mΩ，最大漏极电流（ID）为90A。该产品采用Trench技术。
详细参数说明如下：
- 产品型号：100N08N-VB
- 封装：TO220F
- 极性：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：100V
- 栅极-源极电压（VGS）：20（±V）
- 阈值电压（Vth）：2.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：9mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：90A
- 技术：Trench
该产品适用于以下领域和模块：
1. 电源管理模块：用于高功率的开关电源、DC-DC转换器等模块。
2. 电动车辆领域：用于电动汽车的电池管理系统、电机驱动器等模块。
3. 工业控制领域：用于工业设备的功率开关控制，如变频器、UPS等设备。
4. 太阳能逆变器领域：用于太阳能逆变器的DC-AC转换控制。
以上是100N08N-VB MOSFET的简介、详细参数说明和适用领域和模块的语段形式举例。
