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15N40L-TA3-T-VB一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

### 15N40L-TA3-T-VB 产品简介

15N40L-TA3-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，具有高压容忍性和低导通电阻。采用 SJ_Multi-EPI 技术制造，适用于需要高压、高性能的应用场合，如电源逆变器、电机驱动器、电源开关等。

### 15N40L-TA3-T-VB 详细参数说明

- **包装**: TO220

- **构型**: 单 N 沟道

- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V

- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V

- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V

- **导通电阻 (RDS(ON))**: @ VGS = 10V: 160mΩ

- **漏极电流 (ID)**: 20A

- **技术**: SJ_Multi-EPI

15N40L-TA3-T-VB.pdf

### 适用领域和模块示例

1. **电源逆变器**: 15N40L-TA3-T-VB 在高压逆变器中具有良好的性能，可用于太阳能逆变器、风力发电逆变器等。

2. **电机驱动器**: 在需要高效率和可靠性的电机驱动器中，15N40L-TA3-T-VB 可以用作功率开关元件，提供高效的电机控制。

3. **电源开关**: 15N40L-TA3-T-VB 在需要高压、高性能的电源开关中表现出色，如工业电源、UPS 系统等。

15N40L-TA3-T-VB 还可以在其他需要高压、高性能的场合中发挥作用，为设计者提供了灵活性和选择空间。