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2SK1008-01-VB一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

### 一、2SK1008-01-VB 产品简介

2SK1008-01-VB 是一款单一 N 通道 MOSFET，封装形式为 TO220。该型号采用 Plannar 技术制造，具有较高的漏源电压和适中的导通电阻，适用于中功率电路设计。其最大漏源电压（VDS）为 600V，最大栅源电压（VGS）为 ±30V，阈值电压（Vth）为 3.5V，导通电阻（RDS(ON)）在 VGS=4.5V 时为 1070mΩ，在 VGS=10V 时为 780mΩ，最大漏极电流（ID）为 8A。

### 二、2SK1008-01-VB 详细参数说明

- **型号**：2SK1008-01-VB

- **封装**：TO220

- **类型**：单一 N 通道

- **技术**：Plannar

- **最大漏源电压 (VDS)**：600V

- **最大栅源电压 (VGS)**：±30V

- **阈值电压 (Vth)**：3.5V

- **导通电阻 (RDS(ON))**：

  - @ VGS=4.5V：1070mΩ

  - @ VGS=10V：780mΩ

- **最大漏极电流 (ID)**：8A

- **导通延迟时间**：< 10ns

- **关断延迟时间**：< 20ns

- **总栅电荷 (Qg)**：40nC

- **栅极-漏极电荷 (Qgd)**：10nC

- **漏极-源极电荷 (Qgs)**：30nC

- **热阻 (RθJC)**：< 2.5°C/W

- **工作温度范围**：-55°C 至 175°C

2SK1008-01-VB.pdf

### 三、应用领域和模块实例

#### 电源管理模块

2SK1008-01-VB 在中功率电源管理模块中有广泛应用，特别是在需要承受较高电压和电流的场合，如电源逆变器和开关电源。

#### 电动汽车充电器

由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻，该型号适用于电动汽车充电器中的功率开关电路，确保充电器的高效率和安全性。

#### 工业电机控制

在工业电机控制领域，2SK1008-01-VB 可用于各种中功率电机驱动和控制系统，如风力发电机、泵站控制等。

#### 电力传输与分配

该型号也可用于电力传输和分配系统中的功率开关和保护电路，确保电力系统的稳定性和安全性。

#### 电源逆变器

在太阳能和风能等可再生能源系统中，2SK1008-01-VB 可用于逆变器电路，帮助实现能量的高效转换和管理。

综上所述，2SK1008-01-VB 在中功率电路设计中具有广泛的应用前景，是一款高性能 MOSFET 元件，适用于多种电子设备和系统。