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2SK1214-VB一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

### 2SK1214-VB 产品简介

2SK1214-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。它具有100V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的栅极-源极电压（VGS）、1.8V的阈值电压（Vth），采用Trench技术，适用于中功率应用。

### 2SK1214-VB 详细参数说明

- **型号：2SK1214-VB**

- **封装：TO220**

- **极性：单N沟道**

- **漏源电压 (VDS)：100V**

- **栅源电压 (VGS)：±20V**

- **阈值电压 (Vth)：1.8V**

- **导通电阻 (RDS(ON))：**

  - 38mΩ @ VGS=4.5V

  - 36mΩ @ VGS=10V

- **漏极电流 (ID)：55A**

- **技术：Trench**

2SK1214-VB.pdf

### 适用领域和模块

1. **电源模块**

   - **应用实例**：2SK1214-VB 可用于各种电源模块中，例如开关电源和DC-DC转换器，其低导通电阻和高漏极电流能力使其成为高效能的电源模块关键元件。

2. **电动汽车充电桩**

   - **应用实例**：在电动汽车充电桩中，2SK1214-VB 可以用作开关元件，确保电池在充电过程中的稳定性和安全性。

3. **工业电子**

   - **应用实例**：由于2SK1214-VB 具有耐高压和高温的特性，可用于工业电子设备中的各种开关电路，确保设备在各种环境下安全运行。

4. **LED照明**

   - **应用实例**：在LED照明中，2SK1214-VB 可以用作LED驱动电路中的开关元件，确保LED灯的稳定工作和长寿命。

通过这些应用实例，可以看出 2SK1214-VB 在中功率电子设备和电路中的广泛应用，展示了其在功率管理和控制领域中的重要性和实用性。