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2SK1306-VB一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

### 一、2SK1306-VB产品简介

VBsemi的2SK1306-VB是一款中压单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造。该器件封装在TO-220F封装中，具备较高的漏源电压和适中的电流处理能力，适用于需要承受中等电压和电流的功率管理和开关应用。其特性包括100V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），确保了在各种中压电路中的稳定运行。

### 二、2SK1306-VB详细参数说明

- **型号**: 2SK1306-VB

- **封装类型**: TO-220F

- **配置**: 单N沟道

- **漏源电压 (VDS)**: 100V

- **栅源电压 (VGS)**: ±20V

- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V

- **导通电阻 (RDS(ON))**: 86mΩ @ VGS=10V

- **漏极电流 (ID)**: 18A

- **技术**: Trench

2SK1306-VB.pdf

### 三、应用领域和模块举例

1. **电源管理**: 由于2SK1306-VB具有中等漏源电压和适中的导通电阻，适用于中压电源管理系统中的开关元件。可以用于家用电器、LED照明等领域中的电源管理。

2. **电动工具**: 在电动工具中，需要中等电压和电流处理能力的开关器件来控制电动机的启停和速度调节。2SK1306-VB的特性使其成为这类应用的理想选择。

3. **医疗设备**: 该MOSFET适用于各种医疗设备中的电源管理和开关控制。其稳定性和可靠性使其成为医疗设备中的理想选择。

综上所述，2SK1306-VB适用于需要中等电压和电流处理能力的功率管理和开关应用。其特性使其在家用电器、电动工具和医疗设备等领域中都有着广泛的应用前景。