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2SK1533-VB一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

### 产品简介

**型号**: 2SK1533-VB  

**封装**: TO220  

**配置**: 单N沟道MOSFET  

**技术**: SJ_Multi-EPI

2SK1533-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，封装为TO220。具有较高的漏源电压和适中的导通电阻，适用于各种高压电路设计。

### 详细参数说明

- **漏源电压 (VDS)**: 900V

- **栅源电压 (VGS)**: ±30V

- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V

- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1500mΩ @ VGS = 10V

- **漏极电流 (ID)**: 5A

- **封装类型**: TO220

- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C

- **功耗 (Ptot)**: 40W

2SK1533-VB.pdf

### 应用领域与模块示例

2SK1533-VB MOSFET 可以广泛应用于各种高压领域和模块中，例如：

1. **电源管理**:

   - 在高压电源管理中用作开关器件，实现高效的能量转换。

   - 适用于电视机和显示器的电源管理模块。

2. **电力供应**:

   - 在电力供应系统中用于控制和调节电压。

   - 适用于工业设备和电信基站的电力供应模块。

3. **电力逆变**:

   - 在高压电力逆变器中用于将直流电转换为交流电。

   - 适用于太阳能逆变器和电动汽车逆变器模块。

4. **电动汽车**:

   - 在电动汽车中用于控制电动机的速度和扭矩。

   - 适用于电动汽车的电机驱动模块。

5. **工业控制**:

   - 在高压工业控制系统中用于电路保护和开关控制。

   - 适用于高压电机驱动和变频器模块。

2SK1533-VB 的特性使其成为各种高压应用中的理想选择，能够提供稳定可靠的性能和高效的能量转换。