2SK1535-VB一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管
标签： 来源：国产品牌站 作者：szvbsemi 时间：2024-07-30 17:42
摘要：### 产品简介
### 产品简介
**型号：2SK1535-VB**
2SK1535-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用多重外延结构（SJ_Multi-EPI）技术制造，具有高漏源电压和适中导通电阻。其设计适用于高压应用和适中电流要求的电子设备。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：900V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：1500mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：5A
- **技术类型**：多重外延结构（SJ_Multi-EPI）
### 应用领域和模块示例
**电源管理模块**：2SK1535-VB 可用于高压开关电源和DC-DC转换器中的主功率开关元件。其高漏源电压和适中导通电阻使其在高效率电源模块中表现出色。
**工业设备**：在工业控制系统中，该器件可以用于高压电路中的功率开关，提供可靠的电源控制和高效的能源转换。
**电力传输和分配**：在电力传输和分配系统中，2SK1535-VB 可作为保护开关元件，用于控制电力流动和保护设备。
**医疗设备**：在医疗设备中，2SK1535-VB 可用作功率开关元件，提供稳定的电源控制和高效的能源转换。
以上示例展示了2SK1535-VB 的多功能性和在各种高压、适中电流电路中的优越表现，是各种电子设备中的理想选择。
