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2SK1544-VB一款N-Channel沟道TO3P封装的场效应MOS管

### 产品简介：

2SK1544-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET，采用了 SJ_Multi-EPI 技术。它具有优异的电性能参数，包括高达 600V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的最大门极-源极电压（VGS），3.5V 的阈值电压（Vth），以及在 VGS=10V 时仅为 190mΩ 的导通电阻（RDS(ON)）。此外，2SK1544-VB 能够持续承受高达 20A 的漏极电流（ID），适用于多种应用场合。

### 参数说明：

- **型号**：2SK1544-VB

- **封装**：TO3P

- **构型**：单 N 通道

- **VDS（漏极-源极电压）**：600V

- **VGS（最大门极-源极电压）**：30V（±）

- **阈值电压（Vth）**：3.5V

- **导通电阻（RDS(ON)）**：190mΩ @ VGS=10V

- **漏极电流（ID）**：20A

- **技术**：SJ_Multi-EPI

2SK1544-VB.pdf

### 应用示例：

1. **工业电源**：由于其高 VDS 和 ID 特性，2SK1544-VB 可以广泛应用于工业电源模块中，如直流稳压电源、逆变器等。

2. **电动汽车充电桩**：其高电压和电流特性使其成为电动汽车充电桩中的理想组件，可用于控制充电电流和电压。

3. **太阳能逆变器**：在太阳能发电系统中，2SK1544-VB 可以作为逆变器的关键部件，实现太阳能电能的高效转换。

4. **电动工具**：用于控制电动工具中的电机速度和功率，提高工具的效率和性能。

以上仅为几个示例，实际上，2SK1544-VB 还可以用于各种其他领域和模块，以满足不同应用的需求。