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2SK2035-VB一款N-Channel沟道SC75-3封装的场效应MOS管

### 产品简介

**2SK2035-VB** 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用SC75-3封装，适用于各种低压、低功率应用。具有低阈值电压、低导通电阻和高稳定性，适合要求高效能和小尺寸的电路设计。

### 详细参数说明

- **封装类型**：SC75-3

- **配置**：单N沟道

- **漏极-源极电压 (VDS)**：20V

- **栅极-源极电压 (VGS)**：12（±V）

- **阈值电压 (Vth)**：0.5~1.5V

- **导通电阻 (RDS(ON))**：

  - 390mΩ @ VGS=2.5V

  - 270mΩ @ VGS=4.5V

- **漏极电流 (ID)**：0.85A

- **技术**：沟槽型

2SK2035-VB.pdf

### 应用领域和模块

**2SK2035-VB** 在以下领域和模块中具有广泛应用：

1. **移动设备**：

   - 由于其低功率特性，可用于手机、平板电脑等移动设备中的功率管理模块，如充电管理、电池管理等。

2. **便携式电子产品**：

   - 适用于便携式音频设备、手持式游戏机等产品中的功率管理和信号开关。

3. **医疗电子**：

   - 在医疗设备中，可用于各种电路，如心跳监测器、医疗图像设备等，满足对小尺寸和高性能的要求。

4. **工业控制**：

   - 可用于传感器信号处理、工业自动化设备中的控制模块等。

5. **消费类电子产品**：

   - 适用于智能家居产品、智能穿戴设备等的电源管理和信号开关。

### 小结

**2SK2035-VB** 是一款适用于低压、低功率应用的高性能单N沟道MOSFET，具有低阈值电压、低导通电阻和高稳定性的特点，可广泛应用于移动设备、便携式电子产品、医疗电子、工业控制和消费类电子产品等领域。