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2SK2147-01R-VB一款N-Channel沟道TO3P封装的场效应MOS管

### 2SK2147-01R-VB MOSFET 产品简介

2SK2147-01R-VB 是一款由VBsemi制造的单N沟道MOSFET，采用TO3P封装。这款器件适用于高压高功率应用，具有较高的漏源电压（VDS 900V）和较高的电流承载能力（ID 9A）。采用SJ_Multi-EPI技术，具有较低的导通电阻和较高的阈值电压，适合要求高效率和可靠性的电路设计。

### 2SK2147-01R-VB 详细参数说明

- **型号**: 2SK2147-01R-VB

- **封装**: TO3P

- **配置**: 单N沟道

- **漏源电压 (VDS)**: 900V

- **栅源电压 (VGS)**: ±30V

- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V

- **导通电阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS = 10V

- **漏极电流 (ID)**: 9A

- **技术**: SJ_Multi-EPI

2SK2147-01R-VB.pdf

### 适用领域和模块举例

1. **电力电子（Power Electronics）**:

   2SK2147-01R-VB 可以用于电力电子领域的高压高功率应用，例如逆变器、变频器、电力调制器等。其高漏源电压和电流承载能力使其能够处理高压高功率的电力转换需求。

2. **电动汽车（Electric Vehicles）**:

   在电动汽车的电动机驱动系统中，2SK2147-01R-VB 可以用作电动机控制器的开关元件，用于控制电动机的启停和速度调节。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高电动汽车的性能和效率。

3. **工业高压设备（Industrial High Voltage Equipment）**:

   该器件适用于工业高压设备中的电源管理和控制电路，例如高压电源、X射线设备等。其高可靠性和耐高压特性使其成为工业高压设备设计中的理想选择。

4. **太阳能逆变器（Solar Inverters）**:

   在太阳能逆变器中，2SK2147-01R-VB 可以用作开关电路的关键元件，帮助将太阳能板产生的直流电转换为交流电。其高漏源电压和电流承载能力适合在太阳能逆变器中长时间稳定运行。

以上是2SK2147-01R-VB 在高压高功率应用中的典型应用场景。其特性使其成为多种电路设计中的理想选择，能够满足对功率、效率和可靠性要求较高的应用需求。