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IGBT管（906）

IGBT管中文名称为绝缘栅双极型晶体管，是一种综合性全控电压驱动功率半导体装置。IGBT管有高输入阻抗低导通压降这两大优点，交流电机、变频器、开关电源、照明电路这些都是IGBT管的应用场景。

封装

TO247
TO220
TO220F
TO263
TO3P
TO252
TO-247
TO-220F
TO-263
TO-252
TO-220
NA
TO-3P
TO251

品牌

VBSEMI/微碧半导体
GALAXY/银河微
FEIHONG/飞虹
NCE/新洁能
SLKOR/萨科微
OSEN/欧芯

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共 906 条

型号	品牌	批号	封装	数量	仓库	描述	供应商
IKB15N60T-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO263	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),15A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),15A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
IKP15N65F5-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO220	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),15A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),15A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
IHW40N65R6-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),60A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),60A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
IKB10N60T-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO263	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),10A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),10A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
STGWA40H65DFB2-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),40A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),40A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
VBPB16I80 IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO3P	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),80A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),80A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
SGS23N60UFDTU-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO220F	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),15A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),15A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
STGP3HF60HD-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO220	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),7A,VCESAT=1.65VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),7A,VCESAT=1.65VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
STGW20IH125DF-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,1200(V),25A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,1200(V),25A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
GWA40MS120DF4AG-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V	深圳市微碧半导体有限公司
IKW30N65EL5-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),30A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),30A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
AOK60B65M3-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),60A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),60A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
NGTB60N65FL2WG-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),60A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),60A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
STGD5H60DF-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO252	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),7A,VCESAT=1.65VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),7A,VCESAT=1.65VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
NGTB40N120S3WG-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V	深圳市微碧半导体有限公司
STGF15M65DF2-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO220F	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),15A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),15A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
STGWA40M120DF3-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V	深圳市微碧半导体有限公司
STGW19NC60HD-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),20A,VCESAT=1.65VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),20A,VCESAT=1.65VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
IKD04N60RC2-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO252	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),7A,VCESAT=1.65VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),7A,VCESAT=1.65VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
STGWA40H120DF2-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V	深圳市微碧半导体有限公司
GKU100N65DH5 IGBT管	GALAXY/银河微	2025+	TO-247	6000	常州	650V 100A 650V 100A	深圳市豪金隆电子有限公司
NGTB40N120FLWG-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V	深圳市微碧半导体有限公司
GKB20N65 IGBT管	GALAXY/银河微	2025+	TO-263	6000	常州	650V 20A 650V 20A	深圳市豪金隆电子有限公司
VBE16I10 IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO252	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),10A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),10A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
VBPB16I15 IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO3P	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),15A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),15A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
FGY75N60SMD-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),75A,VCESAT=1.5VTYP@ VGE=15V,VGE=±20V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),75A,VCESAT=1.5VTYP@ VGE=15V,VGE=±20V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
IHW30N65R5-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,600/650(V),30A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V IGBT+FRD,600/650(V),30A,VCESAT=1.7VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5V	深圳市微碧半导体有限公司
FGHL40T120RWD-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V	深圳市微碧半导体有限公司
GKU20N65 IGBT管	GALAXY/银河微	2025+	TO-247	6000	常州	650V 20A 650V 20A	深圳市豪金隆电子有限公司
IKQ40N120CT2-VB IGBT管	VBSEMI/微碧半导体	26+	TO247	1000	深圳	IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V IGBT+FRD,1200(V),40A,VCESAT=1.55VTYP@ VGE=15V,VGE=±30V,VGETH=5.5V	深圳市微碧半导体有限公司

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华强电子网国产品牌站共找到906个IGBT管相关产品，包含了IGBT管型号、品牌、封装、参数等相关信息。IGBT管中文名称为绝缘栅双极型晶体管，是一种综合性全控电压驱动功率半导体装置。IGBT管有高输入阻...IGBT管相关品牌：OSEN/欧芯、FEIHONG/飞虹、FEIHONG/飞虹、NCE/新洁能、NCE/新洁能等。IGBT管常用型号：FGY75N60SMD-VB、AOK60B65M3-VB、NGTB40N120S3WG-VB、IKD04N60RC2-VB、STGWA40H120DF2-VB等。

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产品分类

IGBT管（906）

封装

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