|
中低压MOS管
|
|
XINWO/鑫沃
|
23+
|
TO-252
|
30000000
|
深圳
|
连续漏极电流ID：50；RDS（ON）(MΩ)：17；
漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：±20；
漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：±20；
RDS（ON）(MΩ)：17；
连续漏极电流ID：50；RDS（ON）(MΩ)：17；
漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：±20；
漏源电压VDS：100；栅极电压VGS：±20；
RDS（ON）(MΩ)：17；
|
|
深圳东为电子科技有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
XINWO/鑫沃
|
23+
|
SOT23
|
30000000
|
深圳
|
连续漏极电流ID：4.2A/5.8A/6A；
连续漏极电流ID：4.2A/5.8A/6A；
|
|
深圳东为电子科技有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-247
|
5999
|
惠州
|
MOS，N场，60V,200A
MOS，N场，60V,200A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252
|
11000
|
惠州
|
MOS，N场，30V,100A
MOS，N场，30V,100A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
5709
|
惠州
|
MOS，N场，100V,100A
MOS，N场，100V,100A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2024+
|
TO-247
|
30000
|
深圳
|
30A, 100V, N CHANNEL, POWER MOSFETS
30A, 100V, N CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2024+
|
PDFN5X6-8L
|
30000
|
深圳
|
92A, 100V, 78W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
92A, 100V, 78W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TOLL-8
|
10
|
惠州
|
MOS，N场，80V,A
MOS，N场，80V,A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2024+
|
SOT-223
|
30000
|
深圳
|
6A, 40V, 2W, P CHANNEL, POWER MOSFETS
6A, 40V, 2W, P CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
OSEN/欧芯
|
22+
|
TO-220TO-252DFN5*6
|
100000
|
深圳
|
匠心质造，高品质选欧芯
匠心质造，高品质选欧芯
|
|
广州欧颂电子科技有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2024+
|
TO-263
|
30000
|
深圳
|
100A, 60V, 250W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
100A, 60V, 250W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-220
|
2445
|
惠州
|
MOS，N场，100V,57A
MOS，N场，100V,57A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-247
|
11000
|
惠州
|
MOS，N场，100V,180A
MOS，N场，100V,180A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2024+
|
PDFN5X6-8L
|
30000
|
深圳
|
49A, 40V, 50W, P CHANNEL, POWER MOSFETS
49A, 40V, 50W, P CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252
|
21000
|
惠州
|
MOS，N场，60V,50A
MOS，N场，60V,50A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2024+
|
PDFN5X6-8L
|
30000
|
深圳
|
74A, 40V, 42W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
74A, 40V, 42W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-247
|
5999
|
惠州
|
MOS，N场，100V,180A
MOS，N场，100V,180A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2024+
|
SOT-223
|
30000
|
深圳
|
6A, 40V, 2W, P CHANNEL, POWER MOSFETS
6A, 40V, 2W, P CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2024+
|
SOT-523
|
30000
|
深圳
|
0.64A, 20V, 0.28W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
0.64A, 20V, 0.28W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2024+
|
TO-263
|
30000
|
深圳
|
18A, 200V, 138W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
18A, 200V, 138W, N CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
4898
|
惠州
|
MOS，N场，30V,65A
MOS，N场，30V,65A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
OSEN/欧芯
|
22+
|
TO-220TO-252DFN5*6
|
100000
|
深圳
|
匠心质造，高品质选欧芯
匠心质造，高品质选欧芯
|
|
广州欧颂电子科技有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
21000
|
惠州
|
MOS，N场，30V,100A
MOS，N场，30V,100A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-263
|
4892
|
惠州
|
MOS，N场，60V,160A
MOS，N场，60V,160A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252
|
21000
|
惠州
|
MOS，N场，30V,80A
MOS，N场，30V,80A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252
|
11000
|
惠州
|
MOS，N场，30V,65A
MOS，N场，30V,65A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2024+
|
TO-252
|
30000
|
深圳
|
50A, 60V, 125W, P CHANNEL, POWER MOSFETS
50A, 60V, 125W, P CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252
|
11000
|
惠州
|
MOS，N场，60V,30A
MOS，N场，60V,30A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
GALAXY/银河微
|
2024+
|
PDFN5X6-8L
|
30000
|
深圳
|
-30A, -60V, 48W, P CHANNEL, POWER MOSFETS
-30A, -60V, 48W, P CHANNEL, POWER MOSFETS
|
|
深圳市豪金隆电子有限公司
|
|
|
中低压MOS管
|
|
OSEN/欧芯
|
22+
|
TO-220TO-252DFN5*6
|
100000
|
深圳
|
匠心质造，高品质选欧芯
匠心质造，高品质选欧芯
|
|
广州欧颂电子科技有限公司
|
|
