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P沟道MOS管（272）

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

封装

TO-252
DFN-85X6
SOP-8
SOT-23-3L
DFN-83.3X3.3
TO-220
TO-251A
TO-263
SOT-23
TO263
SOT-89
TO-220F
SOT-523
SOT23-3
TO220
TSOP-6
SOP8
SOT-323
TO-247
TO-251
TO-263-7
TO252

品牌

CMOS/场效应半导体
VBSEMI/微碧半导体
GALAXY/银河微
SEMIWELL/矽门微
JG-SEMI/台湾金锆
OSEN/欧芯
XINWO/鑫沃
LRC/乐山
NCE/新洁能
XBLW/芯伯乐

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共 272 条

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CMS50P03A P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	SOP-8	51000	惠州	CMS50P03A,SOP-8,MOS,P场,-30V,-18A,0.012Ω,3W CMS50P03A,SOP-8,MOS,P场,-30V,-18A,0.012Ω,3W	广东场效应半导体有限公司
CMSA120P03 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	DFN-85X6	685	惠州	CMSA120P03,DFN-8 5X6,MOS,P场,-30V,-150A,0.0038Ω,110W CMSA120P03,DFN-8 5X6,MOS,P场,-30V,-150A,0.0038Ω,110W	广东场效应半导体有限公司
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CMD20P09L P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	5999	惠州	CMD20P09L,TO-252,MOS,P场,-90V,-20A,0.145Ω,75W CMD20P09L,TO-252,MOS,P场,-90V,-20A,0.145Ω,75W	广东场效应半导体有限公司
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CMD30P02 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	51000	惠州	CMD30P02,TO-252,MOS,P场,-20V,-30A,,40W CMD30P02,TO-252,MOS,P场,-20V,-30A,,40W	广东场效应半导体有限公司
CMD60P06 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	21000	惠州	CMD60P06,TO-252,MOS,P场,-60V,-50A,0.021Ω,100W CMD60P06,TO-252,MOS,P场,-60V,-50A,0.021Ω,100W	广东场效应半导体有限公司
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CMSC7423W P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	DFN-83.3X3.3	21000	惠州	CMSC7423W,DFN-8 3.3X3.3,MOS,P场,-20V,-40A,,70W CMSC7423W,DFN-8 3.3X3.3,MOS,P场,-20V,-40A,,70W	广东场效应半导体有限公司
CMS100P02A P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	SOP-8	11000	惠州	CMS100P02A,SOP-8,MOS,P场,-25V,-24A,0.0039Ω,7W CMS100P02A,SOP-8,MOS,P场,-25V,-24A,0.0039Ω,7W	广东场效应半导体有限公司
CMSA6411 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	DFN-85X6	21000	惠州	CMSA6411,DFN-8 5X6,MOS,P场,-20V,-85A,,160W CMSA6411,DFN-8 5X6,MOS,P场,-20V,-85A,,160W	广东场效应半导体有限公司
CMD30P10 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	5999	惠州	CMD30P10,TO-252,MOS,P场,-100V,-30A,0.063Ω,120W CMD30P10,TO-252,MOS,P场,-100V,-30A,0.063Ω,120W	广东场效应半导体有限公司
CMN1029M P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	SOT-23-3L	21000	惠州	CMN1029M,SOT-23-3L,MOS,P场,-100V,-1.5A,0.2Ω,1.25W CMN1029M,SOT-23-3L,MOS,P场,-100V,-1.5A,0.2Ω,1.25W	广东场效应半导体有限公司
IRF5803 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TSOP-6	3355	惠州	IRF5803,TSOP-6,MOS,P场,-40V,-3.4A,0.09Ω,2W IRF5803,TSOP-6,MOS,P场,-40V,-3.4A,0.09Ω,2W	广东场效应半导体有限公司
AO3415-VB P沟道MOS管	VBSEMI/微碧半导体	25+	SOT23-3	48000	深圳	AON6242\|AON6246\|AON6260 AON6242\|AON6246\|AON6260	深圳市微碧半导体有限公司
CMH80P10 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-247	1664	惠州	CMH80P10,TO-247,MOS,P场,-100V,-80A,0.025Ω,300W CMH80P10,TO-247,MOS,P场,-100V,-80A,0.025Ω,300W	广东场效应半导体有限公司
IRF9Z24 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-220	5999	惠州	IRF9Z24,TO-220,MOS,P场,-60V,-22A,0.035Ω,60W IRF9Z24,TO-220,MOS,P场,-60V,-22A,0.035Ω,60W	广东场效应半导体有限公司
CMB80P10 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-263	1206	惠州	CMB80P10,TO-263,MOS,P场,-100V,-80A,0.025Ω,250W CMB80P10,TO-263,MOS,P场,-100V,-80A,0.025Ω,250W	广东场效应半导体有限公司
CMSC7423B P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	DFN-83.3X3.3	51000	惠州	CMSC7423B,DFN-8 3.3X3.3,MOS,P场,-20V,-50A,,85W CMSC7423B,DFN-8 3.3X3.3,MOS,P场,-20V,-50A,,85W	广东场效应半导体有限公司
CMD90P03B P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	21000	惠州	CMD90P03B,TO-252,MOS,P场,-30V,-90A,0.007Ω,130W CMD90P03B,TO-252,MOS,P场,-30V,-90A,0.007Ω,130W	广东场效应半导体有限公司
CMU90P03B P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-251A	11000	惠州	CMU90P03B,TO-251A,MOS,P场,-30V,-90A,0.007Ω,130W CMU90P03B,TO-251A,MOS,P场,-30V,-90A,0.007Ω,130W	广东场效应半导体有限公司
CMD40P03 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	21000	惠州	CMD40P03,TO-252,MOS,P场,-30V,-30A,0.017Ω,50W CMD40P03,TO-252,MOS,P场,-30V,-30A,0.017Ω,50W	广东场效应半导体有限公司
CMU50P06 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-251A	10	惠州	CMU50P06,TO-251A,MOS,P场,-60V,-50A,0.025Ω,85W CMU50P06,TO-251A,MOS,P场,-60V,-50A,0.025Ω,85W	广东场效应半导体有限公司
CMD5970 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	21000	惠州	CMD5970,TO-252,MOS,P场,-150V,-30A,0.078Ω,200W CMD5970,TO-252,MOS,P场,-150V,-30A,0.078Ω,200W	广东场效应半导体有限公司
CMB180P04A P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-263	5999	惠州	CMB180P04A,TO-263,MOS,P场,-40V,-100A,0.0047Ω,136W CMB180P04A,TO-263,MOS,P场,-40V,-100A,0.0047Ω,136W	广东场效应半导体有限公司

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产品分类

P沟道MOS管（272）

封装

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