P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
21000
|
惠州
|
MOS,P场,-40V,-63A
MOS,P场,-40V,-63A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-263-7L
|
10
|
惠州
|
MOS,P场,-40V,-180A
MOS,P场,-40V,-180A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
SOP-8
|
21000
|
惠州
|
MOS,P场,-40V,-13A
MOS,P场,-40V,-13A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
11000
|
惠州
|
MOS,P场,-40V,-100A
MOS,P场,-40V,-100A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-83.3X3.3
|
5512
|
惠州
|
MOS,P场,-20V,-50A
MOS,P场,-20V,-50A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-220
|
4766
|
惠州
|
MOS,P场,-40V,-100A
MOS,P场,-40V,-100A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-251A
|
5999
|
惠州
|
MOS,P场,-25V,-120A
MOS,P场,-25V,-120A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252
|
21000
|
惠州
|
MOS,P场,-90V,-20A
MOS,P场,-90V,-20A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-220
|
5999
|
惠州
|
MOS,P场,-150V,-30A
MOS,P场,-150V,-30A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
SOT-23-3L
|
11000
|
惠州
|
MOS,P场,-30V,-7A
MOS,P场,-30V,-7A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252
|
21000
|
惠州
|
MOS,P场,-60V,-50A
MOS,P场,-60V,-50A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
SEMIWELL/矽门微
|
24+
|
SOT-23
|
500000
|
|
详情见规格书
详情见规格书
|
|
矽门微(上海)电子有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-247
|
1911
|
惠州
|
MOS,P场,-100V,-80A
MOS,P场,-100V,-80A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-220
|
5999
|
惠州
|
MOS,P场,-60V,-90A
MOS,P场,-60V,-90A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
21000
|
惠州
|
MOS,P场,-60V,-35A
MOS,P场,-60V,-35A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252
|
21000
|
惠州
|
MOS,P场,-60V,-30A
MOS,P场,-60V,-30A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252
|
21000
|
惠州
|
MOS,P场,-20V,-40A
MOS,P场,-20V,-40A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-251
|
21000
|
惠州
|
MOS,P场,-30V,-19A
MOS,P场,-30V,-19A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
OSEN/欧芯
|
22+
|
TO-252
|
100000
|
深圳
|
深圳分公司:新亚洲一期1C023
深圳分公司:新亚洲一期1C023
|
|
广州欧颂电子科技有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-263
|
5999
|
惠州
|
MOS,P场,-40V,-100A
MOS,P场,-40V,-100A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-251A
|
11000
|
惠州
|
MOS,P场,-100V,-9A
MOS,P场,-100V,-9A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-220
|
10
|
惠州
|
MOS,P场,-60V,-22A
MOS,P场,-60V,-22A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-220
|
11000
|
惠州
|
MOS,P场,-100V,-35A
MOS,P场,-100V,-35A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
SWIRE/太古
|
25+
|
SOP
|
2122574
|
深圳
|
30V 10A 18MO
30V 10A 18MO
|
|
深圳市太古半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
21000
|
惠州
|
MOS,P场,-20V,-80A
MOS,P场,-20V,-80A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
SOT-23-3L
|
21000
|
惠州
|
MOS,P场,-60V,-2A
MOS,P场,-60V,-2A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
SOP-8
|
11000
|
惠州
|
MOS,P场,-60V,-4A
MOS,P场,-60V,-4A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
SWIRE/太古
|
25+
|
SOP
|
2122574
|
深圳
|
30V 10A 18MO
30V 10A 18MO
|
|
深圳市太古半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-251A
|
10
|
惠州
|
MOS,P场,-30V,-75A
MOS,P场,-30V,-75A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252
|
11000
|
惠州
|
MOS,P场,-30V,-50A
MOS,P场,-30V,-50A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|