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P沟道MOS管（1888）

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

封装

TO252
SOT23-3
SOP8
SOT-23
SOP-8
TO-252
TO220
TO263
SOT-23-6
SOT223
TO220F
TO-220
TO-263
SC70-3
TO251
DFN-85X6
DFN8(5X6)
SOT23-6
DFN8(3X3)
DFN-83.3X3.3
SOT-23-3L
SOT-23-3
SOT89-3
QFN3X3
QFN8(5X6)
SOT89
TO-251A
SOT23
QFN5X6
TO-220F
TSSOP8
SOT223-3
SOT23-3L
SC70-6
QFN2X2
QFN8(3X3)
SOT-89
TO223
DFN6(2X2)
SC75-3
QFN
SOT-523
TO247
SOT-223
TO-251
TO-263-7L
TSOP-6
QFN6(2X2)
SOT-223-3
SOT-323
SOT223-3L
TO-247

品牌

VBSEMI/微碧半导体
CMOS/场效应半导体
GALAXY/银河微
SEMIWELL/矽门微
JG-SEMI/台湾金锆
OSEN/欧芯
XINWO/鑫沃
LRC/乐山
NCE/新洁能
XBLW/芯伯乐

筛选条数：1888

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国产正品

共 1888 条

型号	品牌	批号	封装	数量	仓库	描述	供应商
CMU4932 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-251A	11000	惠州	MOS，P场，-60V,-30A MOS，P场，-60V,-30A	广东场效应半导体有限公司
CMD85P04 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	5999	惠州	MOS，P场，-40V,-85A MOS，P场，-40V,-85A	广东场效应半导体有限公司
CME6P03L P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	SOT-89	11000	惠州	MOS，P场，-30V,-5.5A MOS，P场，-30V,-5.5A	广东场效应半导体有限公司
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CMSA5941 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	DFN-85X6	146	惠州	MOS，P场，-100V,-25A MOS，P场，-100V,-25A	广东场效应半导体有限公司
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CMD40P03 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	21000	惠州	MOS，P场，-30V,-30A MOS，P场，-30V,-30A	广东场效应半导体有限公司
CMD150P03 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	21000	惠州	MOS，P场，-30V,-120A MOS，P场，-30V,-120A	广东场效应半导体有限公司
CMB9640B P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-263	10	惠州	MOS，P场，-200V,-11A MOS，P场，-200V,-11A	广东场效应半导体有限公司
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CMU50P06 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-251A	10	惠州	MOS，P场，-60V,-50A MOS，P场，-60V,-50A	广东场效应半导体有限公司
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CMSA5950A P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	DFN-85X6	4351	惠州	MOS，P场，-100V,-50A MOS，P场，-100V,-50A	广东场效应半导体有限公司
AO4407 P沟道MOS管	XINWO/鑫沃	25+	SOP8	210000	深圳	30V 15A 4407 AO晶圆 30V 15A 4407 AO晶圆	深圳东为电子科技有限公司
CMN5P04M P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	SOT-23-3L	21000	惠州	MOS，P场，-40V,-5A MOS，P场，-40V,-5A	广东场效应半导体有限公司
CMD3P50 P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	21000	惠州	MOS，P场，-500V,-2A MOS，P场，-500V,-2A	广东场效应半导体有限公司
CMD4932L P沟道MOS管	CMOS/场效应半导体	24+	TO-252	11000	惠州	MOS，P场，-60V,-35A MOS，P场，-60V,-35A	广东场效应半导体有限公司
BC807 P沟道MOS管	SEMIWELL/矽门微	24+	SOT-523	500000		详情见规格书详情见规格书	矽门微（上海）电子有限公司

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