N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
SOP-8
|
5999
|
惠州
|
MOS,N+P场,20V,10A
MOS,N+P场,20V,10A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-83.3X3.3
|
21000
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,20A
MOS,N+P场,30V,20A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-83.3X3.3
|
5999
|
惠州
|
MOS,N+P场,40V,20A
MOS,N+P场,40V,20A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252-4L
|
21000
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,20A
MOS,N+P场,30V,20A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252-4L
|
21000
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,16A
MOS,N+P场,30V,16A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252-4L
|
11000
|
惠州
|
MOS,N+P场,60V,13A
MOS,N+P场,60V,13A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
SOP-8
|
11000
|
惠州
|
MOS,N+P场,40V,8A
MOS,N+P场,40V,8A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252-4L
|
1318
|
惠州
|
MOS,N+P场,60V,30A
MOS,N+P场,60V,30A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
SOP-8
|
5999
|
惠州
|
MOS,N+P场,60V,6A
MOS,N+P场,60V,6A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
11000
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,16A
MOS,N+P场,30V,16A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
5999
|
惠州
|
MOS,N+P场,40V,20A
MOS,N+P场,40V,20A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252-4L
|
11000
|
惠州
|
MOS,N+P场,100V,14A
MOS,N+P场,100V,14A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TSOP-6
|
11000
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,4.5A
MOS,N+P场,30V,4.5A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
XINWO/鑫沃
|
23+
|
SOP-8
|
300000
|
|
N30V6.9A P30V5.3A
N30V6.9A P30V5.3A
|
|
深圳东为电子科技有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
GAOGE/高格芯
|
23+
|
SOP8
|
401923
|
|
30V/N 5.8A P 4.1A
30V/N 5.8A P 4.1A
|
|
江苏高格芯微电子有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
SOP-8
|
11000
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,6A
MOS,N+P场,30V,6A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
SOP-8
|
21000
|
惠州
|
MOS,N+P场,60V,5.5A
MOS,N+P场,60V,5.5A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-83.3X3.3
|
21000
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,20A
MOS,N+P场,30V,20A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
207
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,40A
MOS,N+P场,30V,40A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252-4L
|
11000
|
惠州
|
MOS,N+P场,60V,13A
MOS,N+P场,60V,13A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252-4L
|
11000
|
惠州
|
MOS,N+P场,60V,40A
MOS,N+P场,60V,40A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252-4L
|
21000
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,16A
MOS,N+P场,30V,16A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252-4L
|
2326
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,25A
MOS,N+P场,30V,25A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-83.3X3.3
|
5999
|
惠州
|
MOS,N+P场,20V,25A
MOS,N+P场,20V,25A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
11000
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,25A
MOS,N+P场,30V,25A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
5999
|
惠州
|
MOS,N+P场,60V,20A
MOS,N+P场,60V,20A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-83.3X3.3
|
10
|
惠州
|
MOS,N+P场,60V,25A
MOS,N+P场,60V,25A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252-4L
|
11000
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,20A
MOS,N+P场,30V,20A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
DFN-85X6
|
11000
|
惠州
|
MOS,N+P场,30V,16A
MOS,N+P场,30V,16A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|
N+P沟道MOS管
|
|
CMOS/场效应半导体
|
24+
|
TO-252-4L
|
11000
|
惠州
|
MOS,N+P场,60V,13A
MOS,N+P场,60V,13A
|
|
广东场效应半导体有限公司
|
|