商品介绍
SOT23；N—Channel沟道,100V；0.26A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
参数规格
数据手册
BSS123LT1G-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供BSS123LT1G-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 BSS123LT1G-VB 封装/规格：SOT-23 , SOT23；N—Channel沟道,100V；0.26A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；。您可以在 MOS(场效应管) BSS123LT1G-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解BSS123LT1G-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
