商品介绍
TO252；N—Channel沟道,650V；5A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；
参数规格
数据手册
IPD60R950C6-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供IPD60R950C6-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 IPD60R950C6-VB 封装/规格：TO-252 , TO252；N—Channel沟道,650V；5A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；。您可以在 MOS(场效应管) IPD60R950C6-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解IPD60R950C6-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
