商品介绍
TO263；N—Channel沟道,30V；98A；RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
参数规格
IPB080N03LG-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供IPB080N03LG-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 IPB080N03LG-VB 封装/规格：TO-263 , TO263；N—Channel沟道,30V；98A；RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；。您可以在 MOS(场效应管) IPB080N03LG-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解IPB080N03LG-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
