商品介绍
TO263；N—Channel沟道；VDS=100V；ID =100A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=23mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=2.5V；
参数规格
IPB144N12N3G-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供IPB144N12N3G-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 IPB144N12N3G-VB 封装/规格：TO-263 , TO263；N—Channel沟道；VDS=100V；ID =100A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=23mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=2.5V；。您可以在 MOS(场效应管) IPB144N12N3G-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解IPB144N12N3G-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
