商品介绍
TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
参数规格
数据手册
VBZE30N06 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBZE30N06相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBZE30N06 封装/规格：TO-252 , TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；。您可以在 MOS(场效应管) VBZE30N06 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBZE30N06详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
