商品介绍
TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
参数规格
数据手册
VBZE40N10 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBZE40N10相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBZE40N10 封装/规格：TO-252 , TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；。您可以在 MOS(场效应管) VBZE40N10 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBZE40N10详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
