商品介绍
TO252；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
参数规格
VBGE1101N 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBGE1101N相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBGE1101N 封装/规格：TO-252 , TO252；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；。您可以在 MOS(场效应管) VBGE1101N 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBGE1101N详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
