商品介绍
SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
参数规格
数据手册
G2N7002-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供G2N7002-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 G2N7002-VB 封装/规格：SOT23-3 , SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；。您可以在 MOS(场效应管) G2N7002-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解G2N7002-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
