商品介绍
SOT23-6；N—Channel沟道,100V；3.2A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
参数规格
数据手册
VSH160N10MS-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VSH160N10MS-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VSH160N10MS-VB 封装/规格：SOT23-6 , SOT23-6；N—Channel沟道,100V；3.2A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；。您可以在 MOS(场效应管) VSH160N10MS-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VSH160N10MS-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
