商品介绍
TO220F；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=830mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3.36V；
参数规格
08N60-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供08N60-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 08N60-VB 封装/规格：TO220F , TO220F；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=830mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3.36V；。您可以在 MOS(场效应管) 08N60-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解08N60-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
