商品介绍
TO220F；N—Channel沟道；VDS=650V；ID =2A；RDS(ON)=1700mΩ@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；
参数规格
F2HNK60Z-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供F2HNK60Z-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 F2HNK60Z-VB 封装/规格：TO220F , TO220F；N—Channel沟道；VDS=650V；ID =2A；RDS(ON)=1700mΩ@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；。您可以在 MOS(场效应管) F2HNK60Z-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解F2HNK60Z-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
