商品介绍
TO220F；N—Channel沟道；VDS=60V；ID =120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=3V；
参数规格
K58A06N1-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供K58A06N1-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 K58A06N1-VB 封装/规格：TO220F , TO220F；N—Channel沟道；VDS=60V；ID =120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=3V；。您可以在 MOS(场效应管) K58A06N1-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解K58A06N1-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
