商品介绍
TO220F；N—Channel沟道；VDS=550V；ID =18A；RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3V；
参数规格
16N50C3-VB TO220F 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供16N50C3-VB TO220F相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 16N50C3-VB TO220F 封装/规格：TO220F , TO220F；N—Channel沟道；VDS=550V；ID =18A；RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3V；。您可以在 MOS(场效应管) 16N50C3-VB TO220F 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解16N50C3-VB TO220F详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
