商品介绍
QFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；15A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.8V；
可替代型号：SI7850DP-T1-E3(VISHAY/威世)
参数规格
数据手册
SI7850DP-T1-E3-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供SI7850DP-T1-E3-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 SI7850DP-T1-E3-VB 封装/规格：QFN5X6 , QFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；15A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.8V；，兼容替换SI7850DP-T1-E3。您可以在 MOS(场效应管) SI7850DP-T1-E3-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解SI7850DP-T1-E3-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
