商品介绍
TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；
可替代型号：IRLR3110ZPBF(INFINEON/英飞凌)
参数规格
数据手册
IRLR3110ZPBF-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供IRLR3110ZPBF-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 IRLR3110ZPBF-VB 封装/规格：TO-252 , TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；，兼容替换IRLR3110ZPBF。您可以在 MOS(场效应管) IRLR3110ZPBF-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解IRLR3110ZPBF-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
