商品介绍
TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
可替代型号：IRFR3410TRPBF(INFINEON/英飞凌)
参数规格
数据手册
IRFR3410TRPBF-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供IRFR3410TRPBF-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 IRFR3410TRPBF-VB 封装/规格：TO-252 , TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；，兼容替换IRFR3410TRPBF。您可以在 MOS(场效应管) IRFR3410TRPBF-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解IRFR3410TRPBF-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
