商品介绍
台积电流片，长电科技封装；SOT223；N—Channel沟道；650V；1A；RDS(ON)=8000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
参数规格
BSP130-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供BSP130-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 BSP130-VB 封装/规格：SOT223 , 台积电流片，长电科技封装；SOT223；N—Channel沟道；650V；1A；RDS(ON)=8000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；。您可以在 MOS(场效应管) BSP130-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解BSP130-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
