商品介绍
SOT669；N—Channel沟道；VDS=40V；ID =100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=1.4V；
参数规格
HAT2129H-EL-E-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供HAT2129H-EL-E-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 HAT2129H-EL-E-VB 封装/规格：TO-252 , SOT669；N—Channel沟道；VDS=40V；ID =100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=1.4V；。您可以在 MOS(场效应管) HAT2129H-EL-E-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解HAT2129H-EL-E-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
