商品介绍
SOT223；N—Channel沟道；VDS=650V；ID =4A；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=2500mΩ@VGS=4.5V；VGS=±30V；Vth=3.5V；
参数规格
STN3N40K3-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供STN3N40K3-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 STN3N40K3-VB 封装/规格：SOT223 , SOT223；N—Channel沟道；VDS=650V；ID =4A；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=2500mΩ@VGS=4.5V；VGS=±30V；Vth=3.5V；。您可以在 MOS(场效应管) STN3N40K3-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解STN3N40K3-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
