商品介绍
TO252-4；N+P—Channel沟道,±60V；35/-19A；RDS(ON)=30/50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
参数规格
数据手册
AOD603A-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供AOD603A-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 AOD603A-VB 封装/规格：TO-252-4L , TO252-4；N+P—Channel沟道,±60V；35/-19A；RDS(ON)=30/50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；。您可以在 MOS(场效应管) AOD603A-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解AOD603A-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
