商品介绍
SC70-3；N—Channel沟道；VDS=20V；ID =4A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=48mΩ@VGS=2.5V；VGS=±12V；Vth=0.5~1.5V；
参数规格
K3064-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供K3064-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 K3064-VB 封装/规格：TO-252 , SC70-3；N—Channel沟道；VDS=20V；ID =4A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=48mΩ@VGS=2.5V；VGS=±12V；Vth=0.5~1.5V；。您可以在 MOS(场效应管) K3064-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解K3064-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
