商品介绍
TO220；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
参数规格
数据手册
P0806ATX-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供P0806ATX-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 P0806ATX-VB 封装/规格：TO-252 , TO220；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；。您可以在 MOS(场效应管) P0806ATX-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解P0806ATX-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
