商品介绍
SOT223；N—Channel沟道,200V；1A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
可替代型号：IRFL210TRPBF(INFINEON/英飞凌)
参数规格
IRFL210TRPBF-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供IRFL210TRPBF-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 IRFL210TRPBF-VB 封装/规格：SOT223-3 , SOT223；N—Channel沟道,200V；1A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；，兼容替换IRFL210TRPBF。您可以在 MOS(场效应管) IRFL210TRPBF-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解IRFL210TRPBF-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
