商品介绍
SOP8；2个P—Channel沟道,-20V；-8.9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；
参数规格
数据手册
SI4933DY-T1-E3-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供SI4933DY-T1-E3-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 SI4933DY-T1-E3-VB 封装/规格：SOP-8 , SOP8；2个P—Channel沟道,-20V；-8.9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；。您可以在 MOS(场效应管) SI4933DY-T1-E3-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解SI4933DY-T1-E3-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
