商品介绍
台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；40V；280A；RDS(ON)=1.4(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
参数规格
数据手册
BUK762R0-40C-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供BUK762R0-40C-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 BUK762R0-40C-VB 封装/规格：TO-263 , 台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；40V；280A；RDS(ON)=1.4(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；。您可以在 MOS(场效应管) BUK762R0-40C-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解BUK762R0-40C-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
