商品介绍
SOT223；N—Channel沟道,30V；7A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
参数规格
数据手册
STN4NE03LT4-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供STN4NE03LT4-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 STN4NE03LT4-VB 封装/规格：SOT223 , SOT223；N—Channel沟道,30V；7A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；。您可以在 MOS(场效应管) STN4NE03LT4-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解STN4NE03LT4-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
