商品介绍
SOT223；P—Channel沟道；VDS=-200V；ID =-2A；RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=900mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=-3V；
参数规格
数据手册
FQT3P20-VB 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供FQT3P20-VB相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 FQT3P20-VB 封装/规格：SOT223 , SOT223；P—Channel沟道；VDS=-200V；ID =-2A；RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V；RDS(ON)=900mΩ@VGS=4.5V；VGS=±20V；Vth=-3V；。您可以在 MOS(场效应管) FQT3P20-VB 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解FQT3P20-VB详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
