商品介绍
DFN6(2X2)；N+P—Channel沟道,±30V；±7A；RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=±1~±2V；
参数规格
数据手册
VBQG5325 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBQG5325相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBQG5325 封装/规格：SOT23-6 , DFN6(2X2)；N+P—Channel沟道,±30V；±7A；RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=±1~±2V；。您可以在 MOS(场效应管) VBQG5325 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBQG5325详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
