商品介绍
TO220F；N—Channel沟道,650V；4A；RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
参数规格
数据手册
VBMB165R04 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBMB165R04相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBMB165R04 封装/规格：SOT223 , TO220F；N—Channel沟道,650V；4A；RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；。您可以在 MOS(场效应管) VBMB165R04 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBMB165R04详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
