商品介绍
TO251；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
参数规格
数据手册
VBM165R02 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBM165R02相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBM165R02 封装/规格：SOT23-3 , TO251；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=4000mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；。您可以在 MOS(场效应管) VBM165R02 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBM165R02详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
