商品介绍
TO263；N—Channel沟道,500V；30A；RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
参数规格
VBL15R30S 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBL15R30S相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBL15R30S 封装/规格：SOT223 , TO263；N—Channel沟道,500V；30A；RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；。您可以在 MOS(场效应管) VBL15R30S 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBL15R30S详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
