商品介绍
TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
参数规格
数据手册
VBMB1203M 由 VBSEMI/微碧半导体 设计生产，华强电子网国产品牌站提供VBMB1203M相关产品信息及供货商联系方式。VBSEMI/微碧半导体 VBMB1203M 封装/规格：SOT23-6 , TO220F；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=265mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；。您可以在 MOS(场效应管) VBMB1203M 规格书，Datesheet，PDF数据手册中了解VBMB1203M详细引脚图、使用方法及典型应用电路教程。
